[it12345]

Я много раз "озвучивал" Вашу гипотезу, могу повторить ещё раз.
Вы считаете, что рост кристалла из его расплава возможен при температуре кристаллизации.
Как моделировать - в целом известно, меня интересует вменяемая постановка задачи.
Вы только буковку придумали - этого мало.
Я за Вас придумал систему, которую можно в компьютерном эксперименте исследовать.
Кроме того, что величина теплоотвода может характеризоваться градиентом температуры в кристалле, я ничего другого придумать не могу.
Т.е. понятно, что при кристаллизации выделяется тепло и его в любом случае нужно отводить.
Суть в том, насколько теплоотвод интенсивен и какая температура будет на фронте кристаллизации.
Т.е. я задаю температуру внешней стенки кристалла. Можно задать такую температуру, что на фронте кристаллизации температура будет выше Tпл -
и кристалл будет уменьшаться; можно подобрать такую температуру внешней стенки, чтобы на фронте кристаллизации температура будет ниже Tпл -
и кристалл будет увеличиваться. А можно добиться, чтобы на фронте кристаллизации температура была ровно Tпл. По Вашей гипотезе, кристалл всё
равно будет расти. Вот этот тезис и можно проверить.