Из "Лекций по генетической минералогии":
"При росте на неровной поверхности субстрата тенденция к геометрическому отбору увеличивается как за счёт отсутствия преимущественной ориентировки зародышей, так и за счёт неодинакового их расположения в пространстве, благодаря чему более высоко расположенные зародыши оказываются в более выгодном положении...
Образованные таким образом параллельно-шестоватые агрегаты 1 типа по Д.П. Григорьеву — агрегаты возникшие в условиях относительно свободного роста на подложке-субстрате (в расплавах, в растворах) в полостях, когда скорость роста минерального агрегата меньше скорости раскрытия этой полости. Способ питания растущих кристаллов со стороны их головок. Рост обычно симметричный по обеим сторонам жильной трещины.
Обычно рост происходит при пассивном взаимодействии с подложкой-субстратом.
Иной тип — параллельно-шестоватые агрегаты 2 типа по Д.П. Григорьеву. Это агрегаты без закономерной кристаллографической ориентировки шестиков кристаллов относительно их удлинения. Они образуются в условиях стеснённой кристаллизации без явлений геометрического отбора. Здесь скорость приоткрывания трещин меньше скорости роста кристаллов по любому кристаллографическому направлению. Приоткрывание возникшей трещины происходит постепенно мелкими толчками с амплитудой в десятые-сотые доли мм, что фиксируется иногда слоями включений в кристаллах. По этой причине каждый кристалл, не зависимо от его ориентировки, успевает подрасти любым своим кристаллографическим направлением вслед за отодвигающейся стенкой трещины. Нет геометрического отбора, нет и головок кристаллов.
Необходимые условия медленного раздвигания стенок трещины чаще создаются не вследствие тектонических подвижек, а как результат кристаллизационного давления растущих кристаллов. Следовательно, питание растущих кристаллов происходит за счёт растворов по порам и микротрещинам."
Вот и с условиями разобрались
.